DMT10H072LDV-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
DMT10H072LDV-7 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스：
8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
12A (Tc)
드레인-소스 전압(Vdss)：
100V
구성：
2 N-Channel
공급자 장치 패키지：
PowerDI3333-8 (Type UXC)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
4.5nC @ 10V
전력 - 최대：
1W (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
66mOhm @ 4.5A, 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
228pF @ 50V
