DMT35M8LDG-7
MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRDI3333
DMT35M8LDG-7 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)：
30V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스：
8-PowerVDFN
구성：
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.9V @ 250µA
공급자 장치 패키지：
PowerDI3333-8 (Type G)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
17A (Ta), 15.3A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
4.7mOhm @ 20A, 10V, 5.8mOhm @ 18A, 10V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
22.7nC @ 10V, 16.3nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
1510pF @ 15V, 1032pF @ 15V
전력 - 최대：
980mW (Ta), 2W (Tc)
