DMT6011LPDW-13
MOSFET 2N-CH 60V 10.3A POWERDI50
DMT6011LPDW-13 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
패키지/케이스：
8-PowerTDFN
구성：
2 N-Channel (Dual)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
14mOhm @ 10A, 10V
드레인-소스 전압(Vdss)：
60V
공급자 장치 패키지：
PowerDI5060-8 (Type UXD)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
22.2nC @ 10V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
10.3A (Ta), 40A (Tc)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
1072pF @ 30V
전력 - 최대：
2.5W (Ta), 37.9W (Tc)
