DMTH10H032LPDW-13
MOSFET 2N-CH 100V 24A POWERDI50
DMTH10H032LPDW-13 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
패키지/케이스：
8-PowerTDFN
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
24A (Tc)
드레인-소스 전압(Vdss)：
100V
구성：
2 N-Channel
공급자 장치 패키지：
PowerDI5060-8 (Type UXD)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
32mOhm @ 5A, 10V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
11.9nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
683pF @ 50V
전력 - 최대：
3W (Ta), 37W (Tc)
