DMC3032LFDB-13
MOSFET N/P-CH 30V 5.3A 6UDFN
DMC3032LFDB-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
30V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс：
6-UDFN Exposed Pad
Конфигурация：
N and P-Channel Complementary
Мощность - Макс.：
800mW
Пакет устройств поставщика：
U-DFN2020-6 (Type B)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
5.3A (Ta), 3.4A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
30mOhm @ 5.8A, 10V, 70mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
10.6nC @ 10V, 7.8nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
500pF @ 15V, 336pF @ 25V
