DMG4496SSSQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
DMG4496SSSQ-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Оценка：
Automotive
Пакет/кейс：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика：
8-SOP
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 250µA
ВГС (Макс)：
±25V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
10A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
10.2 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max)：
1.42W (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
493.5 pF @ 15 V
