DMN1003UFDE-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
DMN1003UFDE-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
22A (Ta)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
2.5V, 4.5V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
12 V
ВГС (Макс)：
±8V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
800mW (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
45 nC @ 8 V
Пакет/кейс：
6-PowerUDFN
Пакет устройств поставщика：
U-DFN2020-6 (Type E)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
3mOhm @ 15A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2551 pF @ 6 V
