DMN1019USNQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 3K
DMN1019USNQ-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Оценка：
Automotive
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Пакет/кейс：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
12 V
ВГС (Макс)：
±8V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
1.2V, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id：
800mV @ 250µA
Пакет устройств поставщика：
SC-59-3
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
9.3A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2426 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
680mW (Ta)
