DMN1021UCA4-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-TSN0808-
DMN1021UCA4-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
12 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.2V @ 250µA
ВГС (Макс)：
±8V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
1.8V, 4.5V
Пакет/кейс：
4-XFDFN
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
7.4A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
21mOhm @ 1.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
5.1 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
409 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
690mW
Пакет устройств поставщика：
X2-TSN0808-4
