DMN10H220LDV-13
MOSFET 2N-CH 100V PWRDI3333
DMN10H220LDV-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Пакет/кейс：
8-PowerVDFN
Конфигурация：
2 N-Channel (Dual)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
100V
Пакет устройств поставщика：
PowerDI3333-8 (Type UXC)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
10.5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
222mOhm @ 2A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
6.7nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
366pF @ 50V
Мощность - Макс.：
1.8W (Ta), 40W (Tc)
