DMN10H220LFDF-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
DMN10H220LFDF-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
100 V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Пакет/кейс：
6-UDFN Exposed Pad
Пакет устройств поставщика：
U-DFN2020-6 (Type F)
Power Dissipation (Max)：
1.1W (Ta)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
2.2A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
6.7 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
225mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
384 pF @ 25 V
