DMN10H6D2LFDB-7
MOSFET 2N-CH 100V 0.27A 6UDFN
DMN10H6D2LFDB-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Конфигурация：
2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 1mA
Пакет/кейс：
6-UDFN Exposed Pad
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
100V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
270mA (Ta)
Пакет устройств поставщика：
U-DFN2020-6 (Type B)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
6Ohm @ 190mA, 10V
Мощность - Макс.：
700mW (Ta)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
1.2nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
41pF @ 50V
