DMN2009UFDF-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
DMN2009UFDF-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
2.5V, 4.5V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
20 V
ВГС (Макс)：
±12V
Пакет/кейс：
6-UDFN Exposed Pad
Пакет устройств поставщика：
U-DFN2020-6 (Type F)
Power Dissipation (Max)：
1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
27.9 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
9mOhm @ 8.5A, 4.5V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
12.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1083 pF @ 10 V
