DMN2013UFDEQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
DMN2013UFDEQ-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Оценка：
Automotive
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
20 V
ВГС (Макс)：
±8V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
1.5V, 4.5V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
10.5A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.1V @ 250µA
Пакет/кейс：
6-PowerUDFN
Power Dissipation (Max)：
660mW (Ta)
Пакет устройств поставщика：
U-DFN2020-6 (Type E)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
11mOhm @ 8.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
25.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2453 pF @ 10 V
