DMN2014LHAB-13
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
DMN2014LHAB-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Пакет/кейс：
6-UFDFN Exposed Pad
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
9A (Ta)
Конфигурация：
2 N-Channel (Dual)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.1V @ 250µA
Мощность - Макс.：
800mW (Ta)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
16nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
1550pF @ 10V
Пакет устройств поставщика：
U-DFN2030-6 (Type B)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
13mOhm @ 4A, 4.5V
