DMN2029UVT-7
MOSFET N-CH 6.8A TSOT26
DMN2029UVT-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Пакет/кейс：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс)：
±10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика：
TSOT-26
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
2.5V, 4.5V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
20 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
700mW (Ta)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
6.8A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
646 pF @ 10 V
