DMN2120UFCL-7
MOSFET N-CH 20V 1.8A 6UDFN
DMN2120UFCL-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
20 V
ВГС (Макс)：
±12V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
1.8V, 4.5V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
1.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
130 pF @ 10 V
Пакет/кейс：
6-PowerUFDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
2.8 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
450mW (Ta)
Пакет устройств поставщика：
U-DFN1616-6 (Type K)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
100mOhm @ 3.6A, 4.5V
