DMN21D2UFB-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
DMN21D2UFB-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
20 V
ВГС (Макс)：
±12V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
1.5V, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Пакет/кейс：
3-UFDFN
Пакет устройств поставщика：
X1-DFN1006-3
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
990mOhm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
27.6 pF @ 16 V
Power Dissipation (Max)：
380mW (Ta)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
760mA (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
0.93 nC @ 10 V
