DMN22M5UFG-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
DMN22M5UFG-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс：
8-PowerVDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
99 nC @ 10 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
2.5V, 4.5V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
20 V
ВГС (Макс)：
±12V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.3V @ 250µA
Пакет устройств поставщика：
POWERDI3333-8
Power Dissipation (Max)：
600mW (Ta)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
24A (Ta), 27A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
2mOhm @ 13.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3926 pF @ 10 V
