DMN2310UFB4-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
DMN2310UFB4-7B Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
20 V
ВГС (Макс)：
±8V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
1.5V, 4.5V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
2.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
38 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
950mV @ 250µA
Пакет/кейс：
3-XFDFN
Пакет устройств поставщика：
X2-DFN1006-3
Power Dissipation (Max)：
710mW (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
175mOhm @ 1A, 4.5V
