DMN2310UTQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
DMN2310UTQ-13 Specifications
Тип монтажа:
Surface Mount
Оценка:
Automotive
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification:
AEC-Q101
Напряжение стока к источнику (Vdss):
20 V
ВГС (Макс):
±8V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
1.8V, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
38 pF @ 10 V
Пакет/кейс:
SOT-523
Пакет устройств поставщика:
SOT-523
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs(th) (Max) @ Id:
950mV @ 250µA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
1.2A (Ta)
Power Dissipation (Max):
290mW (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
240mOhm @ 300mA, 4.5V