DMN2451UFB4Q-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
DMN2451UFB4Q-7B Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Оценка：
Automotive
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
20 V
ВГС (Макс)：
±12V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
1.8V, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
6.4 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
400mOhm @ 600mA, 4.5V
Пакет/кейс：
3-XFDFN
Пакет устройств поставщика：
X2-DFN1006-3
Power Dissipation (Max)：
660mW (Ta)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
1.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
32 pF @ 16 V
