DMN2710UFBQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
DMN2710UFBQ-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Оценка：
Automotive
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
20 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
1.8V, 4.5V
ВГС (Макс)：
±6V
Пакет/кейс：
3-UFDFN
Пакет устройств поставщика：
X1-DFN1006-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
0.6 nC @ 4.5 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
450mOhm @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
42 pF @ 16 V
Power Dissipation (Max)：
720mW (Ta)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
1.3A (Ta)
