DMN29M9UFDF-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMN29M9UFDF-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)：
1.2W (Ta)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
20 V
ВГС (Макс)：
±12V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.2V @ 250µA
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
1.8V, 4.5V
Пакет/кейс：
6-UDFN Exposed Pad
Пакет устройств поставщика：
U-DFN2020-6 (Type F)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
11A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
13.5mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
655 pF @ 8 V
