DMN3020UFDFQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMN3020UFDFQ-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Оценка：
Automotive
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
30 V
ВГС (Макс)：
±12V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
1.5V, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Пакет/кейс：
6-UDFN Exposed Pad
Power Dissipation (Max)：
730mW (Ta)
Пакет устройств поставщика：
U-DFN2020-6 (Type F)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
10.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
19mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
27 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1304 pF @ 15 V
