DMN3060LCA3-7
MOSFET N-CH 30V 3.9A X4DSN1006-3
DMN3060LCA3-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
30 V
ВГС (Макс)：
±12V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.1V @ 250µA
Пакет/кейс：
3-XFDFN
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
1.8V, 8V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
3.9A (Ta)
Пакет устройств поставщика：
X4-DSN1006-3
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
60mOhm @ 500mA, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
1.677 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
192 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)：
790mW
