DMN3061SQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
DMN3061SQ-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Оценка：
Automotive
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.8V @ 250µA
Пакет/кейс：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика：
SOT-23-3
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
30 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
2.3A (Ta)
Power Dissipation (Max)：
770mW (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
5.5 nC @ 10 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
3.3V, 10V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
59mOhm @ 3.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
233 pF @ 15 V
