DMN30H4D1S-7
MOSFET N-CH 300V 430MA SOT23
DMN30H4D1S-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика：
SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
300 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
430mA (Ta)
Power Dissipation (Max)：
360mW (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
4.8 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
4Ohm @ 300mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
174 pF @ 25 V
