DMN31D5UFA-7B
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0806
DMN31D5UFA-7B Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
30 V
ВГС (Макс)：
±12V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
1.5V, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
400mA (Ta)
Пакет/кейс：
3-XFDFN
Пакет устройств поставщика：
X2-DFN0806-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
0.3 nC @ 4.5 V
Power Dissipation (Max)：
380mW (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
15.4 pF @ 15 V
