DMN3732UFB4Q-7B
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
DMN3732UFB4Q-7B Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Оценка：
Automotive
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
30 V
ВГС (Макс)：
±8V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
1.8V, 4.5V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
460mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id：
950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
40.8 pF @ 25 V
Пакет/кейс：
3-XFDFN
Пакет устройств поставщика：
X2-DFN1006-3
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
1.3A (Ta)
Power Dissipation (Max)：
490mW (Ta)
