DMN39M1LFVW-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
DMN39M1LFVW-13 Specifications
Тип монтажа:
Surface Mount, Wettable Flank
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Пакет/кейс:
8-PowerVDFN
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
87A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1.3W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
40 nC @ 10 V
Пакет устройств поставщика:
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
5mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2387 pF @ 15 V