DMN52D0U-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
DMN52D0U-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика：
SOT-23-3
ВГС (Макс)：
±12V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
50 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
2Ohm @ 50mA, 5V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
400mA (Ta)
Power Dissipation (Max)：
500mW
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
1.8V, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
39 pF @ 25 V
