DMN53D0LT-7
DIODE
DMN53D0LT-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
50 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
300mW (Ta)
Пакет/кейс：
SOT-523
Пакет устройств поставщика：
SOT-523
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
2.5V, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
350mA (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
0.6 nC @ 4.5 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
1.6Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
46 pF @ 25 V
