DMN6022SSS-13
MOSFET N-CH 6.9A 8SO
DMN6022SSS-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Пакет/кейс：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика：
8-SOP
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
6V, 10V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
60 V
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
2.1W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
14 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
29mOhm @ 5A, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
6.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2110 pF @ 30 V
