DMN6040SSSQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
DMN6040SSSQ-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Оценка：
Automotive
Пакет/кейс：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика：
8-SO
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
60 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Power Dissipation (Max)：
1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
5.5A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1287 pF @ 25 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
40mOhm @ 4.5A, 10V
