DMN6066SSSQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
DMN6066SSSQ-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Оценка：
Automotive
Пакет/кейс：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика：
8-SOP
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
60 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
3.7A (Ta)
Power Dissipation (Max)：
1.56W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
10.3 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
66mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
502 pF @ 30 V
