DMN6069SEQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R
DMN6069SEQ-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Оценка：
Automotive
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
60 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Пакет/кейс：
TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
16 nC @ 10 V
Пакет устройств поставщика：
SOT-223-3
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
69mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
825 pF @ 30 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
4.3A (Ta), 10A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
1.2W (Ta), 11W (Tc)
