DMN62D4LFB-7B
MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1006
DMN62D4LFB-7B Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
60 V
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
5V, 10V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
2Ohm @ 500mA, 10V
Пакет/кейс：
3-UFDFN
Пакет устройств поставщика：
X1-DFN1006-3
Power Dissipation (Max)：
500mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
1.1 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
407mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
40 pF @ 30 V
