DMN65D7LFR4-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1010
DMN65D7LFR4-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
60 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
260mA (Ta)
Power Dissipation (Max)：
600mW (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
41 pF @ 30 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
5Ohm @ 40mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
1.04 nC @ 10 V
Пакет устройств поставщика：
X2-DFN1010-4 (Type B)
Пакет/кейс：
4-XDFN Exposed Pad
