DMN65D8LV-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
DMN65D8LV-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
60 V
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика：
SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 250µA
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
5V, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
310mA (Ta)
Power Dissipation (Max)：
370mW (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
22 pF @ 25 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
3Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
0.87 nC @ 10 V
