DMP1007UCB9-7
MOSFET P-CH 8V 13.2A U-WLB1515-9
DMP1007UCB9-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора：
P-Channel
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
2.5V, 4.5V
ВГС (Макс)：
±6V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.1V @ 250µA
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
8.2 nC @ 4.5 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
13.2A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
900 pF @ 4 V
Power Dissipation (Max)：
840mW (Ta)
Пакет устройств поставщика：
U-WLB1515-9 (Type C)
Пакет/кейс：
9-UFBGA, WLBGA
