DMP1009UFDFQ-7
MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN
DMP1009UFDFQ-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Оценка：
Automotive
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора：
P-Channel
Qualification：
AEC-Q101
Power Dissipation (Max)：
2W (Ta)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
12 V
ВГС (Макс)：
±8V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
1.8V, 4.5V
Пакет/кейс：
6-UDFN Exposed Pad
Пакет устройств поставщика：
U-DFN2020-6 (Type F)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
11A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
11mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
44 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1860 pF @ 10 V
