DMP10H088SPS-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMP10H088SPS-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount, Wettable Flank
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
6V, 10V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
100 V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора：
P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Пакет/кейс：
8-PowerTDFN
ВГС (Макс)：
±25V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
20A (Tc)
Пакет устройств поставщика：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Power Dissipation (Max)：
2.2W (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
83mOhm @ 4.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
27.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1808 pF @ 50 V
