DMP10H4D2SQ-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R
DMP10H4D2SQ-7 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Оценка：
Automotive
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
100 V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
1.8 nC @ 10 V
Тип полевого транзистора：
P-Channel
Qualification：
AEC-Q101
Пакет/кейс：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика：
SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4V, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
270mA (Ta)
Power Dissipation (Max)：
380mW (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
4.2Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
87 pF @ 25 V
