DMP2008USS-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.
DMP2008USS-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Пакет/кейс：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика：
8-SO
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора：
P-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
20 V
Power Dissipation (Max)：
1.4W (Ta)
ВГС (Макс)：
±8V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
1.8V, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
159 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
13A (Ta), 38A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
9mOhm @12A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
6820 pF @ 10 V
