DMP21D0UFB-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
DMP21D0UFB-7B Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Оценка：
Automotive
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора：
P-Channel
Qualification：
AEC-Q101
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
20 V
ВГС (Макс)：
±8V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
1.8V, 4.5V
Пакет/кейс：
3-UFDFN
Пакет устройств поставщика：
X1-DFN1006-3
Power Dissipation (Max)：
430mW (Ta)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
770mA (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
495mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
1.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
76.5 pF @ 10 V
