DMP22D5UFB4-7R
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
DMP22D5UFB4-7R Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора：
P-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
20 V
ВГС (Макс)：
±8V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
1.5V, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
400mA (Ta)
Пакет/кейс：
3-XFDFN
Пакет устройств поставщика：
X2-DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
17 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)：
460mW (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
0.3 nC @ 4.5 V
