DMP26M1UPSW-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060
DMP26M1UPSW-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount, Wettable Flank
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс)：
±10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора：
P-Channel
Пакет/кейс：
8-PowerTDFN
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
2.5V, 4.5V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
20 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
83A (Tc)
Пакет устройств поставщика：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
5392 pF @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
6mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max)：
1.9W (Ta), 2.6W (Tc)
