DMP27M1UPSW-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060
DMP27M1UPSW-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount, Wettable Flank
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора：
P-Channel
Пакет/кейс：
8-PowerTDFN
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
20 V
ВГС (Макс)：
±12V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.3V @ 250µA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
84A (Tc)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
2.5V, 10V
Пакет устройств поставщика：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
123 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
5.5mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
4777 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
1.95W (Ta), 3.57W (Tc)
