DMP3011SSS-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
DMP3011SSS-13 Specifications
Тип монтажа：
Surface Mount
Пакет/кейс：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика：
8-SO
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора：
P-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
ВГС (Макс)：
±25V
Power Dissipation (Max)：
1.4W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2380 pF @ 15 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
10mOhm @ 11.5A, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
11A (Ta), 32A (Tc)
